Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
530 мА
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
7,7 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 899,75
тг 379,95 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 899,75
тг 379,95 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 379,95 | тг 1 899,75 |
25 - 95 | тг 299,49 | тг 1 497,45 |
100 - 245 | тг 259,26 | тг 1 296,30 |
250 - 495 | тг 232,44 | тг 1 162,20 |
500+ | тг 205,62 | тг 1 028,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
530 мА
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
7,7 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре