Vishay SI2325DS-T1-E3 MOSFET

Код товара RS: 710-3263Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI2325DS-T1-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

530 мА

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

750 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 1 899,75

тг 379,95 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SI2325DS-T1-E3 MOSFET
Select packaging type

тг 1 899,75

тг 379,95 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SI2325DS-T1-E3 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 379,95тг 1 899,75
25 - 95тг 299,49тг 1 497,45
100 - 245тг 259,26тг 1 296,30
250 - 495тг 232,44тг 1 162,20
500+тг 205,62тг 1 028,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

530 мА

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

750 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor