Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
250 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
TrenchFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
1 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
163 нКл при 10 В
Высота
11.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.5V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
800
P.O.A.
800
Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
250 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
TrenchFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
1 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
163 нКл при 10 В
Высота
11.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.5V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China