N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK Vishay Siliconix SQM40016EM_GE3

Код товара RS: 178-3723Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SQM40016EM_GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

250 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

1 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

163 нКл при 10 В

Высота

11.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK Vishay Siliconix SQM40016EM_GE3

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK Vishay Siliconix SQM40016EM_GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

250 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

1 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

163 нКл при 10 В

Высота

11.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China