P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3

Код товара RS: 178-3950Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SQD40031EL_GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

186 нКл при 10 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

6.22мм

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 1
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 1
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

186 нКл при 10 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

6.22мм

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China