Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
15,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
DTMOSIV
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
230 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
130 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.45мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
43 нКл при 10 В
Высота
15.1мм
Прямое напряжение диода
1.7V
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
15,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
DTMOSIV
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
230 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
130 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.45мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
43 нКл при 10 В
Высота
15.1мм
Прямое напряжение диода
1.7V
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре