Toshiba TK10A60W,S4VX(M MOSFET

Код товара RS: 125-0532Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK10A60W,S4VX(M
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

DTMOSIV

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

380 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В

Высота

15мм

Прямое напряжение диода

1.7V

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TK10A60W,S4VX(M MOSFET

P.O.A.

Toshiba TK10A60W,S4VX(M MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

DTMOSIV

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

380 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В

Высота

15мм

Прямое напряжение диода

1.7V

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba