P-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V, 3-Pin PICOSTAR Texas Instruments CSD25481F4
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PICOSTAR
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
800 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,913 нКл при 4,5 В
Ширина
0.6мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
FemtoFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.35мм
Информация о товаре
P-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
10
P.O.A.
Стандартная упаковка
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 240 | P.O.A. |
| 250 - 490 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PICOSTAR
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
800 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,913 нКл при 4,5 В
Ширина
0.6мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
FemtoFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.35мм
Информация о товаре