N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD17303Q5

Код товара RS: 827-4820Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD17303Q5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 4,5 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 692,85

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD17303Q5
Select packaging type

тг 692,85

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD17303Q5
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 692,85тг 3 464,25
50 - 95тг 505,11тг 2 525,55
100 - 245тг 500,64тг 2 503,20
250 - 495тг 447,00тг 2 235,00
500+тг 375,48тг 1 877,40

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 4,5 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

NexFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments