Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 mA
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
800 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,18 нКл при 5 В
Ширина
1.6мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 mA
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
800 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,18 нКл при 5 В
Ширина
1.6мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм