Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Выпрямительные диоды и диоды Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
DO-247 LL
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
30A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
1200V
Конфигурация диода
Одиночный
Серия
STPS
Тип выпрямителя
Выпрямительный диод
Число контактов
2
Минимальная рабочая температура
-65°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
1550A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
41.2мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics SiC diode is available in DO-247 with long leads and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown during turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Выпрямительные диоды и диоды Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
DO-247 LL
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
30A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
1200V
Конфигурация диода
Одиночный
Серия
STPS
Тип выпрямителя
Выпрямительный диод
Число контактов
2
Минимальная рабочая температура
-65°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
1550A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
41.2мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics SiC diode is available in DO-247 with long leads and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown during turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
