N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP75NF20

Код товара RS: 761-2925Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP75NF20
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

75 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

34 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

84 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 296,30

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP75NF20
Select packaging type

тг 1 296,30

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP75NF20
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 1 296,30
10 - 49тг 1 037,04
50 - 99тг 1 014,69
100 - 249тг 920,82
250+тг 853,77

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

75 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

34 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

84 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics