STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 15 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STP19NF20

Код товара RS: 168-5800Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP19NF20
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.15мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 15 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STP19NF20

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 15 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STP19NF20
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.15мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics