STMicroelectronics STP10NK60ZFP MOSFET

Код товара RS: 485-7428Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP10NK60ZFP
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

750 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.3мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 947,64

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP10NK60ZFP MOSFET
Select packaging type

тг 947,64

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP10NK60ZFP MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 947,64тг 4 738,20
25 - 45тг 670,50тг 3 352,50
50 - 95тг 652,62тг 3 263,10
100 - 245тг 527,46тг 2 637,30
250+тг 487,23тг 2 436,15

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

750 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.3мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics