STMicroelectronics STL90N6F7 MOSFET

Name: STMicroelectronics STL90N6F7 MOSFET
Brand: STMicroelectronics
SKU: 1658262

Код товара RS: 165-8262Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL90N6F7

Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET F7

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

Максимальное сопротивление сток-исток

5,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.35мм

Количество элементов на ИС

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Высота

0.95мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STL90N6F7 MOSFET

3000

P.O.A.

STMicroelectronics STL90N6F7 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET F7

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

Максимальное сопротивление сток-исток

5,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.35мм

Количество элементов на ИС

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Высота

0.95мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.