STMicroelectronics STL60P4LLF6 MOSFET

Код товара RS: 165-5275Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL60P4LLF6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerFLAT

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

19 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 4,5 В

Высота

0.95мм

Прямое напряжение диода

1.1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STL60P4LLF6 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STL60P4LLF6 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerFLAT

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

19 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 4,5 В

Высота

0.95мм

Прямое напряжение диода

1.1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics