Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
STripFET F3
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Ширина
10.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 4,5 В
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
STripFET F3
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Ширина
10.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 4,5 В
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.