Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
M250
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
108 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-0,5 В, +15 В
Ширина
6.09мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
9.91мм
Высота
3.94мм
Типичный коэффициент усиления по мощности
17,7 дБ
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
M250
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
108 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-0,5 В, +15 В
Ширина
6.09мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
9.91мм
Высота
3.94мм
Типичный коэффициент усиления по мощности
17,7 дБ
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.