STMicroelectronics IRF630 MOSFET

Код товара RS: 486-0171Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: IRF630
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

9.15мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 326,31

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics IRF630 MOSFET
Select packaging type

тг 326,31

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics IRF630 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 326,31тг 1 631,55
25 - 95тг 254,79тг 1 273,95
100 - 245тг 205,62тг 1 028,10
250 - 495тг 201,15тг 1 005,75
500+тг 187,74тг 938,70
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

9.15мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать