N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4503NT1G

Код товара RS: 780-4751Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTR4503NT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

730 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,9 нКл при 4,5 В, 3,6 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 129,63

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4503NT1G
Select packaging type

тг 129,63

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4503NT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 129,63тг 3 240,75
50 - 100тг 125,16тг 3 129,00
125 - 225тг 62,58тг 1 564,50
250 - 475тг 58,11тг 1 452,75
500+тг 58,11тг 1 452,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

730 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,9 нКл при 4,5 В, 3,6 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor