Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
730 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,9 нКл при 4,5 В, 3,6 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 129,63
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 129,63
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 25 | тг 129,63 | тг 3 240,75 |
50 - 100 | тг 125,16 | тг 3 129,00 |
125 - 225 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
250 - 475 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
500+ | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
730 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,9 нКл при 4,5 В, 3,6 нКл при 10 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре