Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PT1G

Код товара RS: 780-0611Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTJD4152PT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

880 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,2 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 111,75

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PT1G
Select packaging type

тг 111,75

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 111,75тг 2 793,75
50 - 100тг 111,75тг 2 793,75
125 - 225тг 62,58тг 1 564,50
250 - 475тг 62,58тг 1 564,50
500+тг 62,58тг 1 564,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

880 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,2 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor