ON Semiconductor NTHD4102PT1G MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

170 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

1.7мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 4,5 В

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia