onsemi QFET N-Channel MOSFET, 6 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB FQP6N40C

Код товара RS: 671-5168Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQP6N40C
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

400 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

QFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

73 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 1 810,35

тг 362,07 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 6 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB FQP6N40C
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 810,35
10тг 3 620,70
15тг 5 431,05
20тг 7 241,40
25тг 7 040,25
30тг 8 448,30
35тг 9 856,35
40тг 11 264,40
45тг 12 672,45
50тг 14 080,50
55тг 15 488,55
60тг 16 896,60
65тг 18 304,65
70тг 19 712,70
75тг 21 120,75

тг 1 810,35

тг 362,07 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 6 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB FQP6N40C

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 810,35
10тг 3 620,70
15тг 5 431,05
20тг 7 241,40
25тг 7 040,25
30тг 8 448,30
35тг 9 856,35
40тг 11 264,40
45тг 12 672,45
50тг 14 080,50
55тг 15 488,55
60тг 16 896,60
65тг 18 304,65
70тг 19 712,70
75тг 21 120,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 362,07тг 1 810,35
25 - 95тг 281,61тг 1 408,05
100 - 245тг 227,97тг 1 139,85
250 - 495тг 223,50тг 1 117,50
500+тг 205,62тг 1 028,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

400 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

QFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

73 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.