Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное рассеяние мощности
240 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Ширина
4.8мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
10.67мм
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
2.4V
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
800
P.O.A.
800
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное рассеяние мощности
240 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Ширина
4.8мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
10.67мм
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
2.4V