Dual N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi FCH040N65S3-F155

Код товара RS: 146-4096Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FCH040N65S3-F155
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

65 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

SUPERFET III

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

417 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В перем./пост. тока

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

136 при 10 В нКл

Ширина

5.3мм

Количество элементов на ИС

2

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

21.08мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi FCH040N65S3-F155

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi FCH040N65S3-F155
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

65 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

SUPERFET III

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

417 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В перем./пост. тока

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.26мм

Типичный заряд затвора при Vgs

136 при 10 В нКл

Ширина

5.3мм

Количество элементов на ИС

2

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

21.08мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor