N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FCA22N60N
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
165 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
205 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.8мм
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
SupreMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
165 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
205 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.8мм
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
SupreMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.