Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
340 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,7 нКл при 4,5 В
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 31,29
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 31,29
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Лента |
---|---|---|
50 - 50 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
100 - 200 | тг 26,82 | тг 1 341,00 |
250 - 450 | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
500 - 950 | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
1000+ | тг 17,88 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
340 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,7 нКл при 4,5 В
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре