Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
320 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,7 нКл при 4,5 В
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
200
P.O.A.
Стандартная упаковка
200
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
200 - 200 | P.O.A. |
400 - 600 | P.O.A. |
800 - 1400 | P.O.A. |
1600 - 2200 | P.O.A. |
2400+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
320 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,7 нКл при 4,5 В
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре