N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 onsemi 2N7000-D26Z

Код товара RS: 903-4074Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2N7000-D26Z
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-40 В, +40 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.2мм

Ширина

4.19мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

5.33мм

Информация о товаре

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 onsemi 2N7000-D26Z
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 onsemi 2N7000-D26Z
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-40 В, +40 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.2мм

Ширина

4.19мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

5.33мм

Информация о товаре

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.