Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
150 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,58 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
PRICED TO CLEAR
Yes
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
150 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,58 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
PRICED TO CLEAR
Yes
Страна происхождения
China
Информация о товаре