N-Channel MOSFET, 300 mA, 55 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia BSH121,135

Код товара RS: 725-8363PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSH121,135
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1 нКл при 8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

Malaysia

Вас может заинтересовать
Nexperia BSS138BKW,115 MOSFET
тг 49,17Each (On a Reel of 50) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 300 mA, 55 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia BSH121,135
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 300 mA, 55 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia BSH121,135
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type
Вас может заинтересовать
Nexperia BSS138BKW,115 MOSFET
тг 49,17Each (On a Reel of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1 нКл при 8 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

Malaysia

Вас может заинтересовать
Nexperia BSS138BKW,115 MOSFET
тг 49,17Each (On a Reel of 50) (ex VAT)