Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.35мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1 нКл при 8 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.35мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1 нКл при 8 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре