Microchip LND01 Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 LND01K1-G

Код товара RS: 598-897Бренд: MicrochipПарт-номер производителя: LND01K1-G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

9 В

Серия

LND01

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Номер канала

Опускание

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Microchip LND01 Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 LND01K1-G

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Microchip LND01 Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 LND01K1-G

Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

9 В

Серия

LND01

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Номер канала

Опускание

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний