Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
CoolMOS C3
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
900 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
10
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
CoolMOS C3
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
900 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.