P-Channel MOSFET, 2.4 A, 20 V, 6-Pin Micro6 Infineon IRLMS6702TRPBF

Код товара RS: 830-3338PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IRLMS6702TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

Micro6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

375 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5,8 нКл при 4,5 В

Ширина

1.75мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.3мм

Страна происхождения

Thailand

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 2.4 A, 20 V, 6-Pin Micro6 Infineon IRLMS6702TRPBF
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 2.4 A, 20 V, 6-Pin Micro6 Infineon IRLMS6702TRPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

Micro6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

375 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5,8 нКл при 4,5 В

Ширина

1.75мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.3мм

Страна происхождения

Thailand

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.