N-Channel MOSFET, 110 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7540PBF

Код товара RS: 820-8849Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFB7540PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

StrongIRFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

88 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16.51мм

Информация о товаре

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 190,30

тг 438,06 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 110 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7540PBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 190,30
10тг 3 844,20
15тг 5 766,30
20тг 7 688,40
25тг 9 610,50
30тг 11 532,60
35тг 13 454,70
40тг 15 376,80
45тг 17 298,90
50тг 17 209,50
55тг 18 930,45
60тг 20 651,40
65тг 22 372,35
70тг 24 093,30
75тг 25 814,25

тг 2 190,30

тг 438,06 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 110 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7540PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 190,30
10тг 3 844,20
15тг 5 766,30
20тг 7 688,40
25тг 9 610,50
30тг 11 532,60
35тг 13 454,70
40тг 15 376,80
45тг 17 298,90
50тг 17 209,50
55тг 18 930,45
60тг 20 651,40
65тг 22 372,35
70тг 24 093,30
75тг 25 814,25

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 438,06тг 2 190,30
10 - 45тг 384,42тг 1 922,10
50 - 145тг 344,19тг 1 720,95
150 - 795тг 241,38тг 1 206,90
800+тг 210,09тг 1 050,45
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

StrongIRFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

88 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16.51мм

Информация о товаре

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать