Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRF3710ZPBF

Код товара RS: 688-6850Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF3710ZPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

59 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

82 нКл при 10 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.54мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 1 904,22

тг 952,11 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRF3710ZPBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 904,22
4тг 3 808,44
6тг 5 712,66
8тг 7 616,88
10тг 5 095,80
12тг 6 114,96
14тг 7 134,12
16тг 8 153,28
18тг 9 172,44
20тг 9 923,40
22тг 10 915,74
24тг 11 908,08
26тг 12 900,42
28тг 13 892,76
30тг 14 885,10

тг 1 904,22

тг 952,11 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRF3710ZPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 904,22
4тг 3 808,44
6тг 5 712,66
8тг 7 616,88
10тг 5 095,80
12тг 6 114,96
14тг 7 134,12
16тг 8 153,28
18тг 9 172,44
20тг 9 923,40
22тг 10 915,74
24тг 11 908,08
26тг 12 900,42
28тг 13 892,76
30тг 14 885,10

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 952,11тг 1 904,22
10 - 18тг 509,58тг 1 019,16
20 - 38тг 496,17тг 992,34
40 - 98тг 478,29тг 956,58
100+тг 451,47тг 902,94

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

59 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

82 нКл при 10 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.54мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.