Infineon IPP110N20N3GXKSA1 МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 911-4899Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP110N20N3GXKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

88 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

65 нКл при 10 В

Высота

9.45мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPP110N20N3GXKSA1 МОП-транзистор (MOSFET)

P.O.A.

Infineon IPP110N20N3GXKSA1 МОП-транзистор (MOSFET)
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

88 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

65 нКл при 10 В

Высота

9.45мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.