Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1

Код товара RS: 262-5848PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB013N06NF2SATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

190 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PG-TO263-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

190 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PG-TO263-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

SiC