Infineon BUZ30AHXKSA1 MOSFET

Код товара RS: 298-342Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BUZ30AHXKSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10мм

Ширина

4.4мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.25мм

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 858,24

Each (ex VAT)

Infineon BUZ30AHXKSA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 858,24
2тг 1 716,48
3тг 2 574,72
4тг 3 432,96
5тг 3 352,50
6тг 4 023,00
7тг 4 693,50
8тг 5 364,00
9тг 6 034,50
10тг 6 705,00
11тг 7 375,50
12тг 8 046,00
13тг 8 716,50
14тг 9 387,00
15тг 10 057,50

тг 858,24

Each (ex VAT)

Infineon BUZ30AHXKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 858,24
2тг 1 716,48
3тг 2 574,72
4тг 3 432,96
5тг 3 352,50
6тг 4 023,00
7тг 4 693,50
8тг 5 364,00
9тг 6 034,50
10тг 6 705,00
11тг 7 375,50
12тг 8 046,00
13тг 8 716,50
14тг 9 387,00
15тг 10 057,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 858,24
5 - 19тг 670,50
20 - 49тг 581,10
50 - 99тг 522,99
100+тг 482,76

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10мм

Ширина

4.4мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.25мм

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.