Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Ширина
3.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
1.6мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Ширина
3.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
1.6мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.