Infineon BSP295H6327XTSA1 MOSFET

Код товара RS: 445-2269PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BSP295
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

SIPMOS

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Ширина

3.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

1.6мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSP295H6327XTSA1 MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Infineon BSP295H6327XTSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

SIPMOS

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Ширина

3.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

1.6мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.