Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4015SK3-13

Код товара RS: 822-2643Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP4015SK3-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

3,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

6.2мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47,5 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

тг 2 637,30

тг 263,73 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4015SK3-13
Select packaging type

тг 2 637,30

тг 263,73 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4015SK3-13

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 263,73тг 2 637,30
50 - 240тг 254,79тг 2 547,90
250 - 1240тг 187,74тг 1 877,40
1250 - 2490тг 143,04тг 1 430,40
2500+тг 120,69тг 1 206,90

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

3,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

6.2мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47,5 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.