Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
3,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
6.2мм
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47,5 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 2 637,30
тг 263,73 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 637,30
тг 263,73 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 263,73 | тг 2 637,30 |
50 - 240 | тг 254,79 | тг 2 547,90 |
250 - 1240 | тг 187,74 | тг 1 877,40 |
1250 - 2490 | тг 143,04 | тг 1 430,40 |
2500+ | тг 120,69 | тг 1 206,90 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
3,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
6.2мм
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47,5 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре