Vishay P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS61DN-T1-GE3

Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
111.9 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212-8S
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
65.8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.3мм
Длина
3.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
154 nC при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
0.78мм
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
111.9 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212-8S
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
65.8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.3мм
Длина
3.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
154 nC при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
0.78мм