Vishay SI7288DP-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 818-1390Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI7288DP-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

15,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

2

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 559,40

тг 455,94 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI7288DP-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 4 559,40
20тг 9 118,80
30тг 13 678,20
40тг 18 237,60
50тг 22 797,00
60тг 27 356,40
70тг 31 915,80
80тг 36 475,20
90тг 41 034,60
100тг 45 594,00
110тг 50 153,40
120тг 54 712,80
130тг 59 272,20
140тг 63 831,60
150тг 68 391,00

тг 4 559,40

тг 455,94 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI7288DP-T1-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 4 559,40
20тг 9 118,80
30тг 13 678,20
40тг 18 237,60
50тг 22 797,00
60тг 27 356,40
70тг 31 915,80
80тг 36 475,20
90тг 41 034,60
100тг 45 594,00
110тг 50 153,40
120тг 54 712,80
130тг 59 272,20
140тг 63 831,60
150тг 68 391,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 290тг 455,94тг 4 559,40
300 - 590тг 375,48тг 3 754,80
600 - 1490тг 330,78тг 3 307,80
1500 - 2990тг 263,73тг 2 637,30
3000+тг 236,91тг 2 369,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

15,6 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

2

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor