Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 SI3433CDV-T1-GE3

Код товара RS: 812-3142Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI3433CDV-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

TSOP-6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

3,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.1мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 698,60

тг 84,93 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 SI3433CDV-T1-GE3
Select packaging type

тг 1 698,60

тг 84,93 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 SI3433CDV-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 280тг 84,93тг 1 698,60
300 - 580тг 84,93тг 1 698,60
600 - 1480тг 80,46тг 1 609,20
1500 - 2980тг 80,46тг 1 609,20
3000+тг 75,99тг 1 519,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

TSOP-6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

3,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.1мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor