Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
TSOP-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
3,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 698,60
тг 84,93 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 1 698,60
тг 84,93 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
20 - 280 | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
300 - 580 | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
600 - 1480 | тг 80,46 | тг 1 609,20 |
1500 - 2980 | тг 80,46 | тг 1 609,20 |
3000+ | тг 75,99 | тг 1 519,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
TSOP-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
3,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре