Vishay N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
630 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
240 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
0.86мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
1,3 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.68мм
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
630 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
240 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
0.86мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
1,3 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.68мм
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре