Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
540 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 5 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
540 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 5 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре