Vishay IRLU110PBF MOSFET

Код товара RS: 708-4884PБренд: VishayПарт-номер производителя: IRLU110PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

6,1 нКл при 5 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Высота

6.22мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRLU110PBF
P.O.A.Each (In a Tube of 75) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Vishay IRLU110PBF MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Vishay IRLU110PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Vishay N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRLU110PBF
P.O.A.Each (In a Tube of 75) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

6,1 нКл при 5 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Высота

6.22мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRLU110PBF
P.O.A.Each (In a Tube of 75) (ex VAT)