Vishay N-Channel MOSFET, 1.7 A, 900 V, 3-Pin TO-220AB IRFBF20PBF

Код товара RS: 542-9541Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFBF20PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

54 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBF20 1.7A 900V
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 531,93

тг 531,93 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 1.7 A, 900 V, 3-Pin TO-220AB IRFBF20PBF
Select packaging type

тг 531,93

тг 531,93 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 1.7 A, 900 V, 3-Pin TO-220AB IRFBF20PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 531,93
25 - 99тг 424,65
100 - 249тг 379,95
250 - 499тг 344,19
500+тг 299,49
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBF20 1.7A 900V
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

54 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBF20 1.7A 900V
P.O.A.Each (ex VAT)