Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 80 A, 25 V, 8-Pin 1212 SiSS02DN-T1-GE3

Код товара RS: 178-3899Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SiSS02DN-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

65,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +16 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.15мм

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.07мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 80 A, 25 V, 8-Pin 1212 SiSS02DN-T1-GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 80 A, 25 V, 8-Pin 1212 SiSS02DN-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

65,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +16 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.15мм

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

55 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.07мм

Страна происхождения

China