Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Si7190ADP-T1-RE3

Код товара RS: 178-3875Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: Si7190ADP-T1-RE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

14,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

56,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5мм

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14,9 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.07мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Si7190ADP-T1-RE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 5
1P.O.A.
6P.O.A.
11P.O.A.
16P.O.A.
21P.O.A.
26P.O.A.
31P.O.A.
36P.O.A.
41P.O.A.
46P.O.A.
51P.O.A.
56P.O.A.
61P.O.A.
66P.O.A.
71P.O.A.

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Si7190ADP-T1-RE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 5
1P.O.A.
6P.O.A.
11P.O.A.
16P.O.A.
21P.O.A.
26P.O.A.
31P.O.A.
36P.O.A.
41P.O.A.
46P.O.A.
51P.O.A.
56P.O.A.
61P.O.A.
66P.O.A.
71P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

14,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

56,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5мм

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14,9 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.07мм

Страна происхождения

China