Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт при 25 °C
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.5мм
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Прямое напряжение диода
-1.7V
Высота
15мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт при 25 °C
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.5мм
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Прямое напряжение диода
-1.7V
Высота
15мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре