Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
67 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.1мм
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 2 033,85
тг 406,77 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 033,85
тг 406,77 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 406,77 | тг 2 033,85 |
25 - 245 | тг 348,66 | тг 1 743,30 |
250 - 495 | тг 303,96 | тг 1 519,80 |
500 - 995 | тг 205,62 | тг 1 028,10 |
1000+ | тг 174,33 | тг 871,65 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
67 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.1мм
Информация о товаре